Ученым из Университетского колледж Лондона (UCL) удалось впервые создать чипы "резистивной памяти с произвольным доступом" (Resistive RAM, ReRAM, RRAM) на базе оксида кремния, работающие при обычных условиях, а не в вакууме, как другие разрабатываемые в разных странах образцы, в которых тоже используется оксид кремния.
Примечательно, что память была создана не специально: лондонские исследователи изучали возможность использования оксида кремния в светодиодах и обратили внимание на нестабильность параметров пленки оксида и ее способность принимать два состояния.
Это достижение открывает путь к новой сверхвысокоскоростной памяти для компьютеров, карманных медиаплееров, видеокамер и различных мобильных устройств, уверены исследователи, но когда именно разработка придет в серийные электронные устройства, британские ученые не говорят.
ReRAM совмещает достоинства DRAM и флеш-памяти NAND. Принцип работы заключается в изменении сопротивления материала под действием напряжения. Память является энергонезависимой, то есть сохраняет свое состояние в отсутствие питания. К преимуществам ReRAM над широко используемой сейчас флэш-памятью относятся, помимо высокого быстродействия, более высокая плотность, большая долговечность и меньшее энергопотребление.
Микросхемы ReRAM способны обеспечивать приблизительно такое же быстродействие, что и DRAM, оставаясь при этом энергонезависимыми,а по сравнению с NAND память нового типа характеризуется меньшим потреблением энергии и на заметно большим количеством циклов перезаписи.
Работы по созданию ReRAM ведутся уже давно. Теоретические основы нового элемента электросхемотехники, который мог стать основой для всех электрических схем и использоваться наряду с сопротивлением, конденсатором и индуктивностью, были сформулированые еще в начале 1970-х годов, но на практике реализовать эту идею не удавалось вплоть до 2008 года, когда исследователи из Hewlett-Packard впервые сообщили о создании работающего мемристора на основе диоксида титана.
Некоторые эксперты уверены, что уже к 2015 году эта технология сделает устаревшей память типов DRAM и SRAM, которая используется в современный компьютерах в качестве оперативной памяти.
Отличие разработки UCL от всех предыдущих заключается в новой структуре ячейки памяти, состоящей из оксида кремния. Она характеризуется более высокой эффективностью переключения ячейки из одного состояния в другое.
Под действием переключающего напряжения в оксиде формируются или разрушаются кремниевые "нити", соответственно уменьшающие или увеличивающие сопротивление ячейки. Важно, что чип работает при обычных условиях, а не в вакууме.
Другой примечательной особенностью новой памяти является возможность формирования ее в виде тонких прозрачных пленок, например, интегрируемых в сенсорные экраны мобильных устройств.